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名词解释题

光刻

发布日期:2021-08-27

光刻

试题解析

多层光刻胶

光刻胶是光刻工艺中使用的最关键的材料,多层光刻胶指在衬底上涂敷的光刻胶分成多层,然后使用该光刻胶进行曝光。

中文名
多层光刻胶
外文名
Multilayer Resist,MLR

关键光刻层

在集成电路制造流程中,需要进行很多次光刻,光刻层的图形大小不一,而图形较小的光刻层的工艺水平通常决定了集成电路的性能和器件的良率,这些较小图形光刻层被称为光刻关键层。

中文名
关键光刻层
外文名
critical layer

负显影

负显影,用于193nm光刻的多数光刻胶,为正性胶。

中文名
负显影
英文缩写
NTD
外文名
Negative Tone Development

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