晶体管包含三个区:集电区,()和发射区。
每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。
在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度()于基区的禁带宽度,从而使异质结双极晶体管的()大于同质结双极晶体管的。
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。
晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.
为了使三极管能有效地起放大作用,对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么?如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?
禁带变窄
晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.
每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。