MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10-15J,k=1.38×10-23J/K)
氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV,而从玻尔-哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别,原因是什么?
肖特基缺陷
(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。
什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?他们属于何种缺陷,发生缺陷时位置数是否发生变化?
离子晶体中,肖特基缺陷多成对产生。如n代表正负离子空位的数目,u 0代表产生一对缺陷所需要的能量,N代表晶体中原有正负离子对的数目,理论上可推出
式中,γ和B分别是与原子的振动频率的改变和缺陷激活能随体积变化有关的参量。设
试求T=300K和T=1000K时由于有肖特基缺陷后体积的相对变化ΔV/V。
MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。
在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷多成对地产生,令n代表正、负离子空位的对数,W是产生一对缺陷所需要的能量,N是原有的正、负离子对的数目。 (1)试证明:n/N=Bexp(-W/2kBT); (2)试求有肖特基缺陷后体积的变化△V/V,其中V为原有的体积。
为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗伦克尔缺陷所需能量低?
什么是热缺陷?简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。