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套建筑面积
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在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
在半导体中有两种承载电流的粒子,即载流子,分别是(),这是半导体的特殊性质。
N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。
在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。
本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。
在P型半导体中,()是多数载流子。