MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10-15J,k=1.38×10-23J/K)
将1ev的能量换算为频率为(),波数为()。
H和O在1000eV到1eV能量范围内的散射截面近似为常数,分别为20b和38b。计算H2O的ξ以及在H 2O中中子从1000eV慢化到1eV所需的平均碰撞次数。
已知在钠中形成一个肖特基缺陷的能量为1eV,问温度从T=290K升到T=1000K时,肖特基缺陷增大多少倍?
波长为0.0100nm的电磁辐射的能量是()eV(已知1eV=1.602×10-19)
电子能级间的能量差一般为1~20eV,计算在1eV,5eV,10eV和20eV时相应的波长(nm)。
电子能级间的能量差一般为1~20eV,计算在1eV,5eV,10eV和20eV时相应的波长(nm)。