APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
与APCVD相比,LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能,因此应用更为广泛。
分别解释IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、SOI、ERC、DRC、EXT等的含义。
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
LPCVD(低压CVD)
简述低压CVD系统(LPCVD)的优缺点。
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制