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sicl
确定在1200℃时,由SiCl 4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h G=5cm/s,表面反应速率常数为K S=10 7exp(-1.9eV/kT)cm/s,C G=5*10 16cm -3。如果反应温度降低2℃,生长速率将变化多少?
由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比,对于以SiCl 4为原料的硅外延为什么随SiCl 4浓度的增加会出现负的生长速率?