移动端
微信搜“题王网”真题密题、最新资讯、考试攻略、轻松拿下考试
首页
词条
vgs
夹断
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()