雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。
为什么需要将发光二极管与光电二极管封装在一起构成光电耦合器件?光电耦合器件的主要特性有哪些?
写出硅光电二极管的全电流方程,说明各项的物理意义。
光电二极管有光照时,其反向电流约为()。
硅光电二极管通常在()偏置条件下工作;
已知某Si光电二极管的灵敏度为0.5μA/μW,结间电导G=0.01μS(微西),黑白电压U M=10V,入射光功率P=5+3sinωt(μW),偏压U b=40V。试求:电信号输出送到放大器时,取得最大功率的电阻R bo、放大器的输入电阻R i以及输送到放大器的电压及功率。
光电二极管有光照时,其反向电流约为()。
随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()
光电二极管(PIN)具有雪崩效应。
PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而( )。