1、关于IP的叙述错误的是()(单选题)
A. IP不产生潜影
B. IP是一种成像转换器件
C. IP被激光照射后产生蓝紫色光
D. IP被强可见光照射后潜影会消失
E. IP型号不同对X线的敏感性也不同
试题答案:A
2、应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()(单选题)
A. 硒鼓检测器
B. IP成像转换器
C. 直接转换平板探测器
D. 间接转换平板探测器
E. 多丝正比室检测器
试题答案:C
3、下列成像介质中,分辨率最高的是()(单选题)
A. 荧光屏
B. 荧光缩影片
C. 直接摄影用屏片系统
D. 乳腺摄影用屏片系统
E. 无屏胶片
试题答案:E
4、光激励荧光体中,为改变荧光体的结构和物理特性常掺入()(单选题)
A. Al3+
B. Eu2+
C. Cu2+
D. TI2+
E. Se2+
试题答案:B
5、关于连续X线光子能量的叙述,错误的是()(单选题)
A. X线是混合能谱
B. 能量大X线波长长
C. 能量决定于电子的能量
D. 能量决定于核电荷数
E. 能量决定于电子接近核的情况
试题答案:B
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