反型异质结

半导体异质结是许多微电子器件和光电子器件工作的基础。如果异质结的两边掺杂情况不同，则异质结的性质也将不同。调制掺杂异质结就是在一边掺杂、另一边不掺杂的异质结；对于突变调制掺杂异质结，其中的载流子具有很多特殊的性能，在器件应用中有很大的价值。

本体异质结(bulk heterojunction)，是指n型半导体和p型半导体在整个区域范围内充分混合且界面分布于整个区域范围的pn结。本体异质结可通过将含有n型半导体材料和p型半导体材料的混合溶液以旋涂、丝网印刷和喷墨打印等方式制备，也可通过共同蒸镀的方式获得，还可以通过热处理的方式将真空蒸镀的平面型双层异质结转换为本体异质结结构。

异质结材料是由两种不同元素或不同成分材料所构成的一定结型的半导体材料。结两边的导电类型由掺杂控制，掺杂类型相同的称为“同型异质结”，掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于结两边材料的禁带宽度和其他特性不同制作的器件可获得高放大倍数和高响应速度。可采用液相外延、气相外延、金属有机物化学气相沉积和分子束外延方法来制备。广泛用于高速电子器件、光电子器件、集成光学和集成电路等领域。半导体激光器是异质结材料成功应用的首例。