名词解释题
耗尽型JFET
发布日期：2022-06-16
试题解析
耗尽型场效晶体管
耗尽型场效晶体管（depletion mode field effect transistor）是1993年公布的电子学名词。
- 中文名
- 耗尽型场效晶体管
- 所属学科
- 电子学
- 外文名
- depletion mode field effect transistor
- 公布时间
- 1993
晶体管阈值电压
耗尽型JFET的沟道掺杂浓度越高， 原始沟道越宽，则夹断电压就越高；温度升高时，由于本征载流子浓度的提高和栅结内建电势的减小， 则夹断电压降低。
- 中文名
- 晶体管阈值电压
- 产品类型
- 电子产品
- 外文名
- Threshold voltage
全耗尽型SOI
SOI工艺实现了优异的介质隔离，消除了体硅CMOS电路固有Latch-up 效应，同时具有寄生电容小、集成度高、漏电流小等优点。SOI CMOS器件的横截面。
- 中文名
- 全耗尽型SOI
- 外文名
- Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI
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