问答题
发布日期:2020-12-11
闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。
晶体管(Transistor)是由曾制作《堡垒(Bastion)》的游戏开发商Super Giant Games研制开发的。是一部在科幻背景下的RPG游戏,玩家扮演的女性角色“红伶(Red)”,突然遭到神秘组织的袭击,差点儿被他们武器“晶体管”所杀,但却阴差阳错的活了下来,并且获得了这把武器,与想要来抢夺这把武器的敌人展开了战斗,“晶体管”秘密以及组织的阴谋,随着战斗的深入而逐渐浮出水面。《晶体管》(Transistor)在18年11月1日登陆Nintendo Switch平台,上架任天堂e-Shop商店。
《有什么》是严正岚演唱的一首歌曲,收录于专辑《告白》中,发布于2018年11月26日。
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摩亨佐-达罗城是一座什么时代的古城遗址?()
影响道床路基稳定的施工作业,基床换填封锁施工放行列车条件,大型养路机械捣固、稳定车作业,两捣一稳作业后,开通后第二列限()Km/h。
性学囊括了与性相关的广博知识领域。它的三大支柱是()。
下列选项中不是政体类型的是()。
根据建设工程质量管理条例规定,施工总承包单位将建设工程主体结构的施工分包给其他有资质的施工单位施工的,属于违法分包行为。
对流层中气温的变化是怎样的?
对金葡菌引起的骨髓炎应首选( )。
疟疾出汗期的临床表现有()
这个故事主要想告诉我们什么?
试述基因图绘制的意义
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什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?
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在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
闩锁效应起因?
MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件。
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。
闩锁效应(可控硅效应),是CMOS电路遇到的()问题。在CMOS电路正常工作时,由于()的突然被激发,器件电流突然(),甚至很快因Al(),使电路失效。
简述闩锁效应的产生原因和防止方法
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?