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已知一维晶体的电子能带可写为: 式中:a为晶格常数,试求: (1)能带的宽度; (2)电子在波矢k的状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维金属晶体共含有N个电子,晶体的长度为L,设T=0K。求电子的费米能级。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维晶体的电子能带可写为: 式中:a为晶格常数,试求: (1)能带的宽度; (2)电子在波矢k的状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求电子在波矢k的状态时的速度。
已知一维金属晶体共含有N个电子,晶体的长度为L,设T=0K。求电子的状态密度。
已知一维晶体的能带可写成 式中a是晶格常数。试求: (1)能带底部和顶部电子的有效质量; (2)能带的宽度; (3)电子处在波矢 状态时的速度。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求能带的宽度。
已知一维金属晶体共含有N个电子,晶体的长度为L,设T=0K。求晶体电子的平均能量。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。试求 (1)能带的宽度; (2)电子在波矢k的状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。