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单选题

抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性?()

发布日期:2021-07-03

抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性?()
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试题解析

抑制性突触后电位

抑制性突触后电位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl通透性增加,Cl内流产生局部超极化电位,突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控CI 通道开放,引起CI 内流,突触后膜发生超极化。

中文名
抑制性突触后电位
机制
突触后膜在递质作用下发生超极化
外文名
Inhibitory postsynaptic potential, IPSP

突触后膜

突触后膜,意思是是邻近间隙的次一级神经元或效应器细胞上的膜,骨骼肌细胞的突触后膜也称终板膜。突触后膜是邻近间隙的次一级神经元或效应器细胞上的膜,骨骼肌细胞的突触后膜也称终板膜。

中文名
突触后膜
外文名
Postsynaptic

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