名词解释题
发布日期:2020-12-11
一种层错现象。
氧化层错,晶片表面存在机械损伤、杂质沾污和微缺陷等时,在热氧化过程中,其近表面层长大或转化的层错。
层错常常发生在外延生长的硅单晶体上,当硅单晶片经过900~1200℃热氧化过程后,经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错,称之为OISF。因为每个层错都结合着部分位错,所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。
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