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名词解释题

层错

发布日期:2020-12-11

层错

试题解析

抽出型层错

一种层错现象。

中文名
抽出型层错
所属类型
微观术语
相关领域
冶金工程

氧化层错

氧化层错,晶片表面存在机械损伤、杂质沾污和微缺陷等时,在热氧化过程中,其近表面层长大或转化的层错。

层错

层错常常发生在外延生长的硅单晶体上,当硅单晶片经过900~1200℃热氧化过程后,经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错,称之为OISF。因为每个层错都结合着部分位错,所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。

中文名
层错
学科
材料工程
发生于
外延生长的硅单晶体上
外文名
fault
领域
工程技术
温度
900~1200℃

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