问答题
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
发布日期：2021-09-15
试题解析
多晶硅
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
- 中文名
- 多晶硅
- 熔点
- 1410 ℃
- 水溶性
- 不溶于水、硝酸和盐酸
- 外文名
- polycrystalline silicon
- 沸点
- 2355 ℃
- 密度
- 2.32 至 2.34 g/cm
刻蚀
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
- 中文名
- 刻蚀
- 工艺
- 半导体制造工艺
- 外文名
- e
- 狭义理解
- 光刻腐蚀
气体
气体是指无形状有体积的可压缩和膨胀的流体。气体是物质的一个态。气体与液体一样是流体：它可以流动，可变形。与液体不同的是气体气体分子间距离很大，可以被压缩膨胀。假如没有限制（容器或力场）的话，气体可以膨胀，其体积不受限制。气态物质的原子或分子相互之间可以自由运动。气态物质的原子或分子的动能比较高。 气体形态可过通其体积、温度和其压强所影响。这几项要素构成了多项气体定律，而三者之间又可以互相影响。
- 中文名
- 气体
- 拼音
- qì tǐ
- 外文名
- gases \\ gaseous state
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