硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
发布日期:2020-12-11
试题解析
外延工艺
外延工艺(epitaxy technique)是2005年发布的航天科学技术名词。
- 中文名
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外延工艺
- 所属学科
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航天科学技术
- 审定机构
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全国科学技术名词审定委员会
- 外文名
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epitaxy technique
- 公布时间
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2005年
衬底
衬底,分为绘图衬底,和化工学衬底两种。绘图衬底指的是将图片或文字充满整个版面使其为底纹。化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。
- 中文名
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衬底
- 材料
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蓝宝石、硅、碳化硅
- 分类
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绘图衬底、化工学衬底
- 其他材料
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GaAS、AlN、ZnO
晶向
晶向是指晶体的一个基本特点是具有方向性,沿晶格的不同方向晶体性质不同。布拉维点阵的格点可以看成分列在一系列相互平行的直线系上,这些直线系称为晶列。同一个格点可以形成方向不同的晶列,每一个晶列定义了一个方向,称为晶向。
- 中文名
-
晶向
- 基本特点
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具有方向性
- 位相确定
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晶向指数
- 外文名
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Crystal orientation
- 释义
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通过晶体中原子
- 相关概念
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晶面、晶面指数
正确答案:
从硅气相外延工艺原理可知,硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子,他迁移到达结点位置停留,之后被后续的Si原子覆盖,该Si原子成为外延层中原子。因此衬底表面“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键,如果外延衬底不是准确的(100)或(111)晶面,而是偏离一个小角度,这在其表面就会有大量结点位置,所以,硅气相外延工艺采用的衬底通常偏离准确的晶向一个小角度。
解析:
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