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问答题

Poly(多晶硅)栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方?

发布日期:2020-12-11

Poly(多晶硅)栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方?

试题解析

多晶硅

多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

中文名
多晶硅
熔点
1410 ℃
水溶性
不溶于水、硝酸和盐酸
外文名
polycrystalline silicon
沸点
2355 ℃
密度
2.32 至 2.34 g/cm

刻蚀

刻蚀,英文为Etch,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展,广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制造的一种普适叫法。

中文名
刻蚀
工艺
半导体制造工艺
外文名
e
狭义理解
光刻腐蚀

栅极

由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

中文名
栅极
特点
镀金,致密,对阴极呈包裹态
词性
名词
外文名
grid
作用
控制阳极电流强度从而放大信号
应用
场效应管栅极

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