已知电子的有效质量me=9.1×10 -31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10 -30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,计算在第一个电子的子能带态(n=1)和在第一个空穴子能带态(n=1)的偏移。
已知正反物质质量相同,电量相反,在碰撞时会完全湮灭为能量。假设电子质量为9E-31kg则正反电子湮灭过程中释放的能量约为()焦耳。(这儿E-31表示e的-31次方)
已知电子的有效质量me=9.1×10 -31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10 -30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV,求该LED在第一子能带态的发光波长。