写出金属mg和GaAs晶体的结构类型。
与Si材料相比,GaAs具有哪些优点?
半导体晶体的晶胞具有()对称性, Si、Ge 、GaAs 晶体为()结构。用()h,k,l 表示晶胞晶面的方向。
与CMOS工艺相比,GaAs工艺有什么主要特点?
已知电子的有效质量me=9.1×10 -31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10 -30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,计算在第一个电子的子能带态(n=1)和在第一个空穴子能带态(n=1)的偏移。
什么是合金接触?N型GaAs合金接触的常用合金是什么?
GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么?
由美国注册会计师协会制定的《公认审计准则》(GAAS)是世界上影响最大最广泛的审计准则。
假定GaAs导带电子分布在导带底之上0~3/2 kT范围内,价带空穴分布在价带顶之上0~3/2 kT范围内,计算辐射光子的波长范围和频带宽度。
一截面为0.6cm ,长为1cm的n型GaAs样品,设μ n=8000cm 2/V·s 3,n=10 15cm,试求该样品的电阻。