在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?
已知GaAs半导体材料的Eg=1.424eV,求该材料的发光波长λ=?
已知半导体GaAs具有闪锌矿结构,Ga和As两原子的最近距离d=2.45×10 -10m。 求密勒指数为
晶面法向方向间的夹角。
已知半导体GaAs具有闪锌矿结构,Ga和As两原子的最近距离d=2.45×10 -10m。求密勒指数为(110)晶面族的面间距。
在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。
()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。
基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件?
依据相图,LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。
GaAs中少量Zn代替Ga是()型;InAs含有稍微过量的In是()型。