GaAs相对Si的优点和缺点是什么?
已知半导体GaAs具有闪锌矿结构,Ga和As两原子的最近距离d=2.45×10 -10m。求固体物理学原胞基矢和倒格子基矢。
已知电子的有效质量me=9.1×10 -31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10 -30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV,求该LED在第一子能带态的发光波长。
从能带结构特点比较Si和GaAs在应用上的不同。
已知半导体GaAs具有闪锌矿结构,Ga和As两原子的最近距离d=2.45×10 -10m。求晶格常数。
GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些?
GaAs的开启电压约为1V。
为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管(HBT)具有好的性能?
从
四元固溶体的带隙与晶格常数图,说明与GaAs晶格(0.5653nm)相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少?
目前GaAs工艺有哪几类?