MOSFET属于双极型器件。
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。
P-MOSFET的三个电极为()。
已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm,沟道宽度W=400μm,栅氧化层厚度t ax=150nm,阈值电压V T=3V,衬底杂质浓度N A=9×10 14cm -3,求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下,V DS等于几伏时漏端沟道开始夹断?计算中取μ n=600cm 2/(V·s)。
如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?
功率场效应管(MOSFET)的特点有哪些?
MOSFET有哪两种类型,他们怎样区分?
MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和()
在N A=10 15cm -3的p型硅<111>衬底上,氧化层厚度为70nm,SiO 2层等效电荷面密度为3×10 11cm -2,计算MOSFET的阈值电压。