同时减小()与(),可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。因此,缩短MOSFET尺寸是VLSI发展的趋势。
NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。
电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。
NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。
MOSFET本征电容
电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
什么是MOSFET的阈值电压,它受哪些因素影响?
P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。