GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。
某MOSFET的I DSS=10mA且U P=-8V。(1)此元件是P沟道还是N沟道?(2)计算U GS=-3V是的I D;(3)计算U GS=3V时的I D。
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
N沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。
基于物理的深亚微米MOSFET模型考虑了哪些内容?
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
简述p沟道MOSFET的工作原理。
功率MOSFET的极限参数指的是()。
由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。
简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。