单选题
发布日期:2020-12-11
P阱,P沟
P阱、N沟
N阱、N沟
N阱、P沟
沟道(channel)是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。
晶体(crystal)是由大量微观物质单位(原子、离子、分子等)按一定规则有序排列的结构,因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。
题王网让考试变得更简单
扫码关注题王,更多免费功能准备上线!
此试题出现在
信号机按类型分为进站、出站、通过、进路、预告、接近、遮断、驼峰、驼峰辅助、复示、调车信号机。
烟花爆竹零售经营单位,应当具备哪些条件?
某供热企业2008年度拥有生产用房原值3000万元,当年取得供热收入2000万元,其中直接向居民供热的收入500万元,房产所在地规定计算房产余值的扣除比例为20%。该企业2008年应缴纳的房产税为( )。
第1个全球生产力模型(Miami模型)用将生产力与()两个主要的气候因子联系起来。
符合特发性血小板减少性紫癜的描述是()
男性,40岁。餐后出现上腹部剧痛伴畏寒、发热、频繁呕吐30小时入院。查体:T39℃,P120次/分,R28次/分,BP80/50mmHg,体重60kg。急性痛苦面容,被迫体位,烦躁不安,表情淡漠,皮肤、巩膜轻度黄染,眼眶凹陷,唇干,四肢较冷,口唇有轻度发绀。腹胀,腹式呼吸存在,右中上及下腹部肌紧张,压痛、反跳痛明显,以右上腹为甚,Murphy征(+),肠鸣音弱。实验室检查:RBC2.42×10/L,Hb71g/L,WBC13.8×10/L,N86%,尿常规:BUG(++),BIL(+)。肝功能检查:TBIL74μmol/L,DBIL54μmol/L,IBIL20μmol/L,ALT6IU/L。血清淀粉酶:148U。血生化检查:血K3.07mmol/L,Na130mmol/L,TCO9mmol/L,BUN7.9mmol/L。根据低渗性缺水的补钠量公式:需要补钠量(mmol)=[血钠正常值-血钠测得值]×体重(kg)×0.6(女性为0.5),该患者的补钠量需()
教学环境的功能有哪些()
客户经理与客户交谈的时候,说话要求()
为了使整个项目在要求的时间内完工,()描述了某项活动必须完成的最晚时间。
不属于TD-LTE系统小区内功控算法的是()。
暂无相关推荐~
NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。
由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题(...
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?