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发生溶血性贫血时,红细胞的半衰期常小于()。
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设有一维晶体,其原子的质量均为m,而最近邻原子间的力常数交替地等于β和10β,且
已知一维晶体的电子能带可写为: 式中:a为晶格常数,试求: (1)能带的宽度; (2)电子在波矢k的状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维金属晶体共含有N个电子,晶体的长度为L,设T=0K。求电子的费米能级。
设一维晶体的电子能带可以写成 其中a为晶格常数,计算 1)能带的宽度 2)电子在波矢k的状态时的速度 3)能带底部和能带顶部电子的有效质量
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维晶体的电子能带可写为: 式中:a为晶格常数,试求: (1)能带的宽度; (2)电子在波矢k的状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求电子在波矢k的状态时的速度。
已知一维金属晶体共含有N个电子,晶体的长度为L,设T=0K。求电子的状态密度。
已知一维晶体的能带可写成 式中a是晶格常数。试求: (1)能带底部和顶部电子的有效质量; (2)能带的宽度; (3)电子处在波矢 状态时的速度。
已知一维晶体的电子能带可写成: 式中a是晶格常数。 求能带的宽度。