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名词解释题

异质外延

发布日期:2020-12-11

异质外延

试题解析

低温磷化铟缓冲层

低温磷化铟缓冲层,磷化铟/砷化镓异质外延的方案之一。采用低温磷化铟作连接磷化铟和砷化镓失配晶格的缓冲层,不仅能有效释放砷化镓衬底与磷化铟外延层间的失配应力,避免选用第13-第15族三元系或四元系材料充当缓冲层而必须的组分精确控制,方案简单,而且缓冲层可以长得很薄。是磷化铟/砷化镓异质外延解决“异系异质兼容”矛盾、实现单片光电子集成的最有效途径之一。

硅基半导体材料

以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

中文名
硅基半导体材料
外文名
silicon based semiconductor materials

异质外延

异质外延是一个物理学名词。外延生长的薄膜材料和衬底材料不同,或者说生长化学组分、甚至是物理结构和衬底完全不同的外延层,相应的工艺就叫做异质外延;这类工艺复杂、成本较低。

中文名
异质外延法
外文名
heteroepitaxy

标签: 异质 外延

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