问答题
简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
发布日期：2020-12-11
试题解析
外延生长
外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。
- 中文名
- 外延生长
- 方法
- 减小集电极串联电阻
- 外文名
- epitaxial growth
- 途径
- 气相外延工艺
气相
气相属于分配层析或吸附层析，仅适用于分析分离挥发性和低挥发性物质。固定相是在惰性支持物（如磨细的耐火砖）上覆盖一层高沸点液体，如硅油、高沸点石蜡和油脂、环氧类聚合物。
- 中文名
- 气相
- 范围
- 分析分离
- 作用
- 分配
- 外文名
- gaseous phase
- 举例
- 硅油
简述
简述是一个汉语词汇，意思是用简要的语言陈述，描述或总结。
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