LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
确定在1200℃时,由SiCl 4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h G=5cm/s,表面反应速率常数为K S=10 7exp(-1.9eV/kT)cm/s,C G=5*10 16cm -3。如果反应温度降低2℃,生长速率将变化多少?
在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制
在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中,控制表面反应的步骤是()
在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制
()是根据化学的多相反应机理,金属表面的原子直接与反应物(如氧、水、酸)的分子相互作用。